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- HPSP 주가 전망, 고압 어닐링 독점력과 실적 반등 포인트 정리 파운드리 중심에서 낸드(NAND) 및 D램(DRAM) 등 메모리 선단공정 적용 확대로 외형 성장 도모 3.
- 시장상황(260812) (반도체) 하이닉스 키옥시아 최대주주로 올라서며 시장에서는 NAND 시장 경쟁력 강화 기대감 형성되며 상승, 엔비디아 고성능 오픈모델 공개 했으나 대규모 순환 금융 구조 우려 등 보합권
- 日 국채금리 30년 최고에도 반도체 훈풍, 키옥시아 15%↑ 반도체 섹터의 압도적 훈풍 (호재) AI 데이터센터 구축 가속화로 인해 HBM뿐만 아니라 고용량 eSSD 등 낸드 플래시(NAND Flash) 수요가 폭발하며 메인 업황이 가....
- Cantor) FMS(Future of Memory and Storage) 2026 후기 Agentic AI와 장문맥 inference 때문에 GPU 바로 옆 HBM만으로는 용량·대역폭·전력·비용 문제를 해결할 수 없어서 DRAM → CXL Memory → HBF/NAND
- [갖고싶다] 삼성전자 PM9E1 M.2 2242 NVMe SSD Base) 5 Core 8 Channel SPDM 1.2 삼성 파운드리 5nm FinFET 《DRAM 캐시》 LPDDR4X 4,266MT/s(2,133MHz) 1GB=1TB(DRAM=NAND ) 《NAND Flash 메모리》 TLC 236단 8세대 V-NAND
- 2027년 D램·HBM 생산량, 이미 다 팔렸다 - 램마겟돈 3년차 돌입 NAND 플래시 쪽도 사정은 비슷해서, 삼성전자·마이크론·샌디스크는 이미 매진됐고 키옥시아와 SK하이닉스도 8월 안에 계약이 마무리될 것으로 전망된다고 하네요.
- 낸드플래시(NAND Flash) 셀은 NAND Cell이라고도 하는데, NMOS 트랜지스터와 Floating gate로 구성된다. 트랜지스터는 직렬로 연결되어 NAND logic gate와 같은 기능을 수행한다. 일반 MOSFET 구조에 게이트가 1개 추가되어 게이트가 총 2개가 된다.
- 2026.8.21 메모리 반도체 뉴스 브리핑 1.5불 안되었다는 것을 생각하면 엄청난 상승세이다.) 8/21 국내 메모리 반도체 Briefing ① 삼성전자·SK하이닉스의 호남 메모리 FAB 추가 확대 검토 ② AI 확산으로 NAND
- HBM보다 10배 큰 용량? 삼성과 SK하이닉스가 공개한 차세대 메모리 기술 분석 기존 HBM보다 훨씬 큰 용량을 자랑하는 'HBF'와 'Z-NAND(Z-낸드)' 기반 기술들을 상세히 분석해 드립니다. 1. 왜 HBM만으로는 부족할까?
- 씨티 : 마이크론 목표가 기존 1,400달러에서 1,150달러로 하향 조정 씨티는 내년으로 갈수록 DRAM과 NAND 가격 전망이 이전보다 완만해질 것이라고 판단했다.
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