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- 삼성, 로직 반도체도 3D로 쌓았다…VLSI 최고 논문 선정 삼성전자는 사내 반도체연구소 로직(Logic) TD팀의 '3차원 수직 적층 트랜지스터(3D Stacked FET, 42nm Gate Pitch)' 연구가 이달 미국에서 개최된 반도체
- 삼성, 3D 적층 트랜지스터 첫 구현…"GPU도 위아래 쌓는다" 삼성전자가 반도체 미세화 한계를 극복할 수 있는 차세대 3차원(3D) 적층 트랜지스터(3D Stacked FET) 기술을 업계 최초로 구현했다.
- 수평 한계 넘은 삼성 반도체…'3D 트랜지스터' 시대 열었다 [서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = 삼성전자가 차세대 로직 반도체 핵심 기술로 꼽히는 3차원 적층 트랜지스터(3D Stacked FET)를 세계 최초로 구현했다.
- 삼성전자, 업계 최소 크기 3D 적층 트랜지스터 구현 기존 평면에 배치되던 트랜지스터를 위아래로 쌓는 '수직 적층 트랜지스터(3D Stacked FET)' 기술을, 업계 게이트 간격으로 구현하는 데 성공했다.17일 업계에 따르면 삼성전자는