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뉴스
- 에이프로세미콘, 1200V급 GaN 에피웨이퍼로 중기부 '스케일업팁스' 선정 에이프로세미콘이 '8인치 1200V급 GaN-on-Si 에피웨이퍼 제조기술 개발 및 HEMT 소자 적용 검증'을 주제로 중소벤처기업부 '스케일업 팁스'(TIPS)에 선정됐다고 18일 에이프로세미콘은 질화갈륨(GaN) 전력 반도체 특
- 지니틱스, GaN 전력반도체 구동IC 개발 착수 [서울=뉴스핌] 이나영 기자= 팹리스 반도체 기업 지니틱스가 국책과제를 통해 차세대 GaN 전력반도체 구동IC 개발에 나선다고 16일 밝혔다.
- 아이언디바이스, '전기차용 GaN 파워모듈' 국책과제 선정 혼성신호 반도체 팹리스 기업 아이언디바이스(464500)가 전기자동차용 차세대 전력반도체 기술 개발 국책과제에 참여하며 GaN(질화갈륨) 기반 파워모듈 시장 공략에 나선다.아이언디바이스는
- 에이프로세미콘, 8인치 GaN 에피웨이퍼 앞세워 글로벌 시장 공략 GaN(질화갈륨) 전력반도체 전문기업 에이프로세미콘(이하 세미콘)이 국내 최초 8인치 GaN-on-Si 에피웨이퍼 양산체계 구축을 기반으로 글로벌 시장 공략에 박차를 가하고 있다고
- 경북대, 세계 최초 700GHz 돌파 GaN 반도체 개발…6G·국방 반도체 새 이정표 꼽히는 초고주파 반도체 분야에서 세계 기록을 갈아치웠다.경북대는 전자공학부 김대현 교수 연구팀이 최대 발진 주파수(fmax) 742GHz를 구현한 45나노미터(nm)급 질화갈륨(GaN
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벨기에, 중국계 연구원 반도체 스파이 혐의 수사…EU 기술안보 긴장
로이터 등에 따르면 중국·벨기에 이중국적의 52세 연구원은 파산한 반도체업체 벨간에서 근무하며 질화갈륨, GaN 반도체 기술과 영업비밀을 중국 업체에 넘긴 혐의를 받고 있습니다. GaN 반도체는 전기차뿐 아니라 위성과 레이더, 전자전 등 항공우주·방위산업에도 활용되는 기술입니다....
- 웨이비스, KDDX 다기능레이더용 국산 반도체·송신모듈 공급 웨이비스는 레이더 체계 수요자의 요구 사양에 맞춰 S대역 고출력 질화갈륨(GaN) 트랜지스터를 개발했으며, 이를 적용한 송신모듈과 함께 KDDX 다기능레이더 시스템에 공급한다고 10일
- DB하이텍, '일렉트로니카 인디아 2026' 첫 참가…현지 팹리스 공략 벵갈루루에서 열리는 남아시아 대표 전자산업 전시회다.DB하이텍은 이번 전시회에서 주력인 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)를 비롯해 차세대 전력반도체 탄화규소(SiC)와 질화갈륨(GaN DB하이텍은 최근 1200V SiC MOSFET 공정의 검증(Qualification)을 완료했으며, 650V GaN 공정은 올해 12월까지 검증을 완료할 계획이다.
- 웨이비스, 과기부 AI 원스톱 바우처 주관기업 선정 [서울=뉴스핌] 이나영 기자= RF(고주파) 질화갈륨(GaN) 반도체 전문기업 웨이비스가 과학기술정보통신부가 주관하는 '2026년 AI(인공지능) 전환 원스톱 바우처 지원사업'의 주관기업으로 웨이비스는 네이버클라우드, 인프라닉스 등과 컨소시엄을 구성해 'AI 기반 GaN 공정 수율 관리 SaaS 플랫폼(YMS)...
- 경북대, 질화갈륨 전자소자 세계 최초 '700㎓ 주파수 장벽' 돌파 경북대학교는 김대현 전자공학부 교수팀이 최대 발진 주파수(fmax) 742㎓를 기록한 45㎚급 질화갈륨(GaN) 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)를 개발했다고 23일 밝혔다. GaN HEMT에서 최대 발진 주파수가 700㎓를 초과한 것은 세계 최초이다.
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