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- 로옴, '저손실·고내성' 650V 내압 4세대 IGBT 개발 로옴 관계자는 "향후 표면실장이 가능한 소형 패키지와 상면 방열(TSC) 패키지 제품도 순차 개발할 계획"이라며 "고성능 IGBT 라인업을 확장해 자동차 및 산업기기 어플리케이션 고효율
- 로옴, 업계 최고 수준의 저손실 실현한 650V 내압 IGBT 개발 로옴(ROHM) 주식회사는 차량용 전동 컴프레서 및 HV 히터, 산업기기용 인버터 등에 최적인 650V 내압 제4세대 IGBT를 개발했다. 신제품은 차량용 650V 클래스 제품 가운데 업계 최고 수준의 낮은 도통손실 VCE(sat)＝1.55V를 실현함과 동시에 높은 단락 내량을 실현하여
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디시오, 한전 R&D 거점 확보…초고전압 시장 공략 본격화
디시오는 SiC MOSFET, Si IGBT 등 핵심 소자는 물론 고전력 모듈에 이르기까지 독자적인 설계 기술을 보유하고 있다. 이
