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- 삼성, 또 일냈다…'HBM 성능 8배' 차세대 3D메모리 공개 삼성전자는 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에 참가해 차세대 3D 메모리 메모리와 AI 가속기 사이에 위치한 인터레이어에 고객이 원하는 기능(IP)을 추가해 메모리 용량을 늘리거나 AI 가속기 성능을 높이는 등 제품 특성을 최적화할 수 있도록 설계했다.
- 삼성, HBM·낸드 혁신 가속…차세대 3D 메모리 신기술 첫 공개 삼성전자는 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에 참가해 차세대 3D 메모리 메모리와 AI 가속기 사이에 위치한 인터레이어에 고객이 원하는 기능(IP)을 추가해 메모리 용량을 늘리거나 AI 가속기 성능을 높이는 등 제품 특성을 최적화할 수 있도록 설계했다.