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- DB하이텍, 8인치 1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료 8인치 파운드리 기업 DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반 1200V 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 공정 신뢰성 검증을 마쳤다고 9일 밝혔다.
- 루트세미콘과 SK파워텍, 1200V SiC MOSFET 공동 개발 루트세미콘과 SK파워텍이 공동 개발한 SiC(실리콘카바이드) 전력반도체가 첫 엔지니어링 런에서 평균 수율 80%를 기록했다. 전력반도체 설계 전문기업 루트세미콘과 SiC 전력반도체 전문 제조기업 SK파워텍은 공동 개발한 1200V 11mΩ 대면적 SiC MOSFET이 첫 엔지니어링
- 로옴, 업계 최고 수준 SOA 실현한 차량용 MOSFET 개발 로옴은 자동차의 안전 기능 및 보호 회로용으로 100V 내압 MOSFET 'RS4P063BPHZG'를 개발했다고 16일 밝혔다.신제품은 자동차 용도에서 표준적으로 사용하는 5060
- 로옴, 상면 방열 패키지 적용한 차세대 SiC MOSFET 개발 양산 절연 공정이 한층 간소화됨에 따라 세트 업체의 실장 비용 삭감과 시스템 신뢰성 향상에 기여할 수 있게 됐다.성능 면에서도 로옴의 최신 4세대 SiC MOSFET 칩셋 기술이 접목되어
- 매그나칩, AI 서버 및 EV 충전기용 6세대 600V SJ MOSFET 신제품 출시 매그나칩반도체는 AI 서버 및 전기차 충전기(EV Charger)에 적합한 6세대 600V SJ(Super Junction) MOSFET을 출시하며 고전력·고효율 전력반도체 포트폴리오를 강화했다고 밝혔다. 이번에 새롭게 선보인 6세대 SJ MOSFET은 36mΩ 및 37mΩ의 낮은 RD
- DB하이텍, 8인치 1200V SiC 공정 검증…2027년 양산 DB하이텍은 8인치 1200V SiC 금속산화물반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET) 공정의 신뢰성...
- 로옴, 600V 내압 Super Junction MOSFET 신제품 개발…고방열 표면실장 패키지 적용 주식회사 로옴(ROHM)은 600V 내압 Super Junction MOSFET 신제품인 'R60xxXNx 시리즈'와 'R60xxWNx 시리즈'를 개발했다고 밝혔다.
- DB하이텍, 8인치 차세대 전력반도체 공정 검증…내년 양산 DB하이텍은 8인치 웨이퍼 기반 1천200V 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 공정의 신뢰성 검증을 완료하고 내년 양산을 목표로 SiC 파운드리(반도체 위탁생산) 사업을 본격화한다고
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디시오, 한전 R&D 거점 확보…초고전압 시장 공략 본격화
디시오는 SiC MOSFET, Si IGBT 등 핵심 소자는 물론 고전력 모듈에 이르기까지 독자적인 설계 기술을 보유하고 있다. 이
- 루트세미콘·에스케이파워텍, 차세대 SiC 전력반도체 국산화 진전…첫 시제품 수율 80% 달성 루트세미콘과 에스케이파워텍(SK파워텍)은 1200V 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 공정을 완료, 차세대 고효율 전력반도체 국산화 기반을 마련했다고 16일 밝혔다. 지난 4월 양사는 'SiC MOSFET 파운드리 제품 개발 계약'을 체결하고 본격적인 공동 개발에 착수했다
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